ВУЛ Бенцион Моисеевич

ВУЛ Бенцион Моисеевич (1903, Белая Церковь Киевской губ. – 1985, Москва), физик. Ч.-к. (1939), д. ч. АН СССР (1972). Герой Соц. Труда (1969). Окончил Киевский политехи, ин-т (1928). С 1932 работает в Физ. ин-те АН СССР (с 1933 рук. лаб. физики диэлектриков, ныне – лаб. полупроводников). С 1951 – чл. гл. ред. Большой Сов. энциклопедии.Осн. тр. поев, физике диэлектриков и полупроводников. Исследуя электрич. прочность диэлектриков, открыл новую форму пробоя диэлектриков (последовательный пробой), установил природу краевого эффекта при пробое тв. диэлектриков и особенности пробоя сжатых газов в резко неоднородных полях. Открыл и исследовал сегнетоэлектрич св-ва титаната бария (1944), чем положил начало созданию нового класса диэлектриков, широко используемых в совр. технике. За эту работу ему была присуждена Стал. пр. (1946). В 1948 начал иссл. по физике полупроводников. Под его рук. разрабатывались первые полупроводниковые диоды, транзисторы и солнечные элементы. Дальнейшие иссл. в обл. фотоэлектрич. явлений привели к созд. кремниевых фотоэлементов солнечных батарей. Создал диффузионный транзистор и предложил использовать в качестве нелинейных конденсаторов р-п-пе-реходы в полупроводниках. При непосредственном участии В. в 1963 в СССР были созданы первые полупроводниковые лазеры, за что в 1964 ему была присуждена Лен. пр.