https://jewsencyclopedia.com/index.php?action=history&feed=atom&title=%D0%92%D0%A3%D0%9B_%D0%91%D0%B5%D0%BD%D1%86%D0%B8%D0%BE%D0%BD_%D0%9C%D0%BE%D0%B8%D1%81%D0%B5%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87 2026-04-10T19:05:48Z История изменений этой страницы в вики MediaWiki 1.36.2 https://jewsencyclopedia.com/index.php?title=%D0%92%D0%A3%D0%9B_%D0%91%D0%B5%D0%BD%D1%86%D0%B8%D0%BE%D0%BD_%D0%9C%D0%BE%D0%B8%D1%81%D0%B5%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87&diff=24744&oldid=prev 2009-07-11T16:45:21Z

<p>Importing text file</p> <p><b>Новая страница</b></p><div>ВУЛ Бенцион Моисеевич (1903, [[Белая Церковь]] Киевской губ. – 1985, [[Москва]]), физик. Ч.-к. (1939), д. ч. АН СССР (1972). Герой Соц. Труда (1969). Окончил Киевский политехи, ин-т (1928). С 1932 работает в Физ. ин-те АН СССР (с 1933 рук. лаб. физики диэлектриков, ныне – лаб. полупроводников). С 1951 – чл. гл. ред. Большой Сов. энциклопедии. [[Категория:Персоналии]]Осн. тр. поев, физике диэлектриков и полупроводников. Исследуя электрич. прочность диэлектриков, открыл новую форму пробоя диэлектриков (последовательный пробой), установил природу краевого эффекта при пробое тв. диэлектриков и особенности пробоя сжатых газов в резко неоднородных полях. Открыл и исследовал сегнетоэлектрич св-ва титаната бария (1944), чем положил начало созданию нового класса диэлектриков, широко используемых в совр. технике. За эту работу ему была присуждена Стал. пр. (1946). В 1948 начал иссл. по физике полупроводников. Под его рук. разрабатывались первые полупроводниковые диоды, транзисторы и солнечные элементы. Дальнейшие иссл. в обл. фотоэлектрич. явлений привели к созд. кремниевых фотоэлементов солнечных батарей. Создал диффузионный транзистор и предложил использовать в качестве нелинейных конденсаторов р-п-пе-реходы в полупроводниках. При непосредственном участии В. в 1963 в СССР были созданы первые полупроводниковые лазеры, за что в 1964 ему была присуждена Лен. пр. [[Категория:Персоналии]]</div>

Admin